حل تمرین در زمینه نیمه رساناها و اتصال p-n

---

شرح پروژه

به کمک یک نفر که در زمینه الکتروشیمی ،نیمه رساناها اطلاعات کافی داشته باشد برای حل تمرین نیاز دارم:

نمونه سوال:

I) خصوصیات نیمه هادی ها

1.1) دو پارامتر مشخصه از یک نیمه هادی بدهید که نشان می دهد ، به عنوان یک تقریب اول ، عملکرد آن با توجه به بازده تبدیل انرژی نور به انرژی الکتریکی.

1.2) بر اساس این پارامترها مشخص کنید که کدام یک از مواد بین سیلیکون (Si) و آرسنید گالیم (GaAs) را در دستگاهی استفاده خواهید کرد تا بازده بالایی در تبدیل انرژی نور به انرژی الکتریکی داشته باشد.

1.3) ویفر سیلیکونی کریستالی بصورت یکنواخت از نوع p با غلظت اتمهای پذیرنده NA = 1016 / cm3 2 دوپ شده است. با چه عنصری می توان این دوپینگ را انجام داد؟ غلظت های تعادلی حفره ها و الکترون ها چقدر است؟

1.4) یک نیمه هادی با غلظت مواد نگهدارنده N دوپ می شود ، به طوری که N >> ni (جایی که ni غلظت حامل های ذاتی است) و تمام مواد نگهدارنده یونیزه می شوند. علاوه بر این ، n (غلظت الکترونهای آزاد در ماده) = N (غلظت دوپانت های یونیزه) و p (غلظت سوراخ ها) = ni2 / N. آیا ناخالصی پذیرنده است یا اهدا کننده؟ توضیح؛

1.5) غلظت الکترونها در نمونه سیلیکون بلوری که در 300 K در شرایط تعادل نگهداری می شود 105 / cm3 است. غلظت سوراخ ها چقدر است؟ نوع این نیمه هادی چیست؟ حامل های اکثریت و حامل های اقلیت را در این ماده شناسایی کنید.

1.6) نوع نیمه هادی (n یا p) و موقعیت سطح فرمی در دمای اتاق یک نیمه هادی ذاتی را در مقایسه با نیمه هادی دوپینگ شده در 1016 سانتی متر -3 با سلنیوم برای GaAs تعیین کنید. عنصر ماده GaAs را که سلنیوم باید در این فرآیند دوپینگ جایگزین کند ، شناسایی کنید.

و......

این پروژه شامل 1 فایل مهم است، لطفا قبل از ارسال پیشنهاد حتما نسبت به بررسی این فایل اقدام فرمایید.

مهارت ها و تخصص های مورد نیاز

---

---